| 存储器制造是半导体产业的重要组成部分，也往往是一个国家发展半导体产业的起点。兆易创新就是以存储器为起点的半导体公司。2009年，兆易创新推出了第一颗SPI NOR Flash。14年后，其存储器市场占有率不断提升，SPI NOR Flash已经连续十年排名前三，目前已经超过了20%。在第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会上，兆易创新Flash 事业部产品市场经理张静介绍说，兆易创新的存储产品已经扩大到27大产品系列、16种产品容量、4个电压范围、7款温度规格、29种封装方式，可以满足各类应用对全容量、高性能、低功耗、小封装的需求。车规产品最初，兆易创新只能提供耐温最高85℃的产品。现在兆易创新不但扩展了工规的85℃产品线，而且可以支持车规125℃等级。高容量十年前，兆易创新NOR Flash产品的容量仅128Mb。如今其NOR Flash的容量最大可达2Gb，完全覆盖市场对Flash的所有容量需求。大带宽虽然NOR Flash支持代码片上运行，但大部分应用会把代码加载到处理器RAM上去运行。随着物联网、可穿戴、汽车电子等新兴领域的发展，更多客户希望在Flash中直接运行代码，这样可以节省宝贵的RAM内存空间，从而降低系统成本。这就要求提高数据传输速率，做到及时响应以保证流畅的用户体验。针对此需求，兆易创新推出的高性能四口NOR Flash产品的传输速率可达每秒200Mb，八口的产品则达到每秒400Mb。低电压、低功耗低电压、低功耗是电子产品发展的趋势，目的是节省能源、降低散热并节省系统成本。兆易创新推出了几种供电电压方案来满足不同的应用需求，包括3V、1.8V、宽电压的1.65-3.6V，再到更低的1.2V。随着半导体工艺节点来到7nm以下，SoC的工作电压降低到1.2V，外围的Flash也要适应这种变化。如果核心供电为1.2V的SoC和1.8V的SPI NOR Flash通信，SoC需要增加升压电路，将内部1.2伏电压提升到1.8伏来匹配外部SPI NOR Flash的电压水平，这就增加了电路设计的复杂度。为此，兆易创新推出了更低电压的1.2V产品。然而，1.2V的NOR Flash擦写性能会有所降低。因此，兆易创新推出了1.2V VIO方案:核心电压依然是1.8V，但IO接口的电压降低到1.2V，这样它与SoC就可以无需电压转换而直接通信。可以说，1.2V VIO方案是兼顾高性能和低功耗两种需求下最理想的Flash解决方案。多种封装在电子产品小型化趋势下，Flash也朝着小封装、大容量的方向发展。为此，兆易创推出了业界首颗1.2×1.2的USON6封装形式，它易于焊接和封装，比较耐用。还有WLCSP封装，封装尺寸与裸片相当，多用于穿戴式等消费电子产品。大容量产品方面，兆易创新推出了业界最小尺寸的3mm×2mm FO-USON 8封装64兆产品，它与USON 3mm×2mm的封装完全兼容，无需更新PCB，而体积减少了70%。在128Mb的容量上，兆易创新推出了业界最小尺寸的FO-USON8 3mm×3mm封装，与主流的USON8 6mm×5mm相比，减少了85%的占用空间。总之，经过十四年的不懈努力，兆易创新的产品技术得到了极大的丰富提高，成为了一个业界举足轻重的存储器产品供应商。 |
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