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双方共同研发的集成式SiC MOSFET技术解决方案业界熟知，SiC拥有高能效、高功率、耐高压等特性，已成为电动汽车、轨道交通、数据中心及电网等高压高功率应用领域的理想材料，市场需求呈现不断增长的趋势。但SiC产品和技术目前尚未大规模商用化应用，处于供不应求的阶段，而量产的其中一个主要障碍便是SiC衬底环节，该环节现阶段仍存在较多缺陷问题，迫切需要突破各项瓶颈。在此背景下，IME与centrotherm旨在结合IME的工艺集成和器件特性描述能力以及centrotherm的专业设备，共同开发用于制造SiC器件的热处理技术，譬如，优化沟槽和栅氧化物形成，借此增强SiC MOSFET、SiC二极管等器件的性能和可靠性。据了解，IME成立于1991年，立足于全球半导体产业，目前聚焦先进封装、piezoMEMS、SiC/GaN、毫米微波、光学传感器等领域的研发工作。在SiC领域，IME近年来已陆续与材料厂商Soitec、东丽及ST意法半导体等SiC主要玩家达成战略合作关系，持续发力8英寸SiC材料技术，瞄准高功率应用市场的机会。而centrotherm拥有70多年的历史，热处理和涂层技术是该公司的核心竞争力，其设备的应用场景覆盖晶圆制造、功率半导体、MEMS、光电、光伏、光纤制造等。随着公司朝向SiC等功率半导体领域发展，centrotherm下一步计划进一步增强宽禁带半导体工艺模块的扩散和退火工艺专业性，并将专业知识拓展至SiC/GaN及其他创新性宽禁带半导体材料领域。作为本次合作的一部分，centrotherm将在新加坡组件一支专业的技术团队，为IME提供技术know-how，工艺配方和现场支持。IME认为，公司的8英寸SiC试产线与centrotherm的先进设备相结合，有利于两家公司加快技术和产品研发的步伐，更好地应对市场需求。
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