本报记者Xv子豪报道:近日，意法半导体与Soitec宣布就碳化硅晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体表示，通过此次合作，意法半导体未来的200mm晶圆生产将采用Soitec的SmartSiC技术，旨在通过中期量产提高器件和模块的产量，认证将在未来18个月内进行。
Soitec拥有SmartSiC专利技术，可以剥离优质碳化硅施主晶片的薄层，将其与低电阻率的多晶硅晶片键合，有助于提高器件的性能和生产良率。此外，高质量的碳化硅晶片可以多次重复使用，从而大大降低了生产的总能耗。
Soitec首席运营官安·师鹏表示:“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们获得专利的SmartCut工艺与碳化硅半导体相结合，SmartSiC技术将加速碳化硅在电动汽车市场的应用。Soitec的SmartSiC优化衬底，结合意法半导体行业领先的碳化硅技术和专业知识，将推动汽车芯片制造领域的重大变革，并设立新的行业标准。”
在扩产方面，记者从意法半导体了解到，意法半导体将在意大利建设一体化碳化硅衬底制造工厂，以满足意法半导体客户对汽车和工业碳化硅组件日益增长的需求。根据官方信息，新工厂预计将于2023年投产，以实现碳化硅衬底内部采购和行业供应的平衡。
产品方面，12月14日，意法半导体发布了新的碳化硅功率模块，可以提高电动汽车的性能和续航里程。现在，这款电源模块已经在现代汽车公司的E-GMP电动车平台上使用，起亚EV6等车型共享这一平台。
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